반도체 및 디스플레이 열처리 장비
HVCD OVEN
RTP-300
Vertical Furnace
RTP(Papid Thermal Pocess) |
Specification
Process | Dopant Anneal [Donor Killing] |
Gas | N2, O2, AR |
Oxidation Uniformity | ±3% |
Process Temp | 300~1050℃±1℃ (Max 1100℃) |
Wafer | 12” Wafer |
Wafer Capacity | Max 25EA + Buffer 2EA |
System Control | PC + Board + 17” touch monitor |
㈜에스아이 | ceo : 김종훈
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